Yarımkeçirici təzyiq sensorları iki kateqoriyaya bölünə bilər, biri yarımkeçirici pn qovşağının (və ya Schotkky qovşağının) stress altında dəyişdiyim prinsip əsasında əsaslanır. Bu təzyiqə həssas elementin performansı çox qeyri-sabitdir və çox inkişaf etməmişdir. Digəri yarımkeçirici təzyiq sensorunun əsas çeşidi olan yarımkeçirici piezoresistiv effekti əsasında sensordur. İlk günlərdə yarımkeçirici gərginliklər əsasən müxtəlif stres və gərginlik ölçmə alətləri etmək üçün elastik elementlərə əsasən əlavə edilmişdir. 1960-cı illərdə, yarımkeçirici inteqrasiya edilmiş dövrə texnologiyasının inkişafı ilə, diffuziya rezistoru olan yarımkeçirici təzyiq sensoru, piezoresistiv element olaraq ortaya çıxdı. Bu cür təzyiq sensoru sadə və etibarlı quruluşa malikdir, nisbi hərəkət edən hissələrə malikdir və sensorun həssas elementi və sensorun həssas elementi və elastik elementi inteqrasiya olunur, bu da mexaniki geriliyi və sürünən və sensorun performansını yaxşılaşdırır.

Yarımkeçirici yarımkeçiricisinin piezoresistiv effekti xarici qüvvə ilə əlaqəli bir xüsusiyyətə malikdir, yəni müqavimət (simvol tərəfindən təmsil olunur), piezoresistiv effekt adlanan streslə dəyişir. Bölmə stresinin təsiri altında rezistliyin nisbi dəyişməsi, simvolu ilə ifadə olunan piezoresistive əmsalı adlanır. Riyazi olaraq ρ / ρ = π σ kimi ifadə edildi.

Burada σ stresi təmsil edir. Stress altında yarımkeçirici müqavimət nəticəsində yaranan müqavimət dəyərinin (r / r) dəyişikliyi əsasən müqavimət dəyişikliyi ilə müəyyən edilir, buna görə piezoresistiv effektin ifadəsi r / r = πσ kimi yazıla bilər.

Xarici qüvvə, müəyyən stress (σ) və süzgəcdən (σ) və süzgəcdən (ε) keçirilən (ε) yarımkeçirici kristallarda yaranır və onların arasındakı münasibətlər, yəni, yəni, y = σ / ε-nin modulusu (Y) tərəfindən müəyyən edilir.

Piezoresistiv effekti yarımkeçircədəki gərginliklə ifadə olunarsa, bu r / r = gε.

G vahid gərginliyi altında müqavimət dəyərinin nisbi dəyişikliyini təmsil edən təzyiq sensorunun həssaslıq amili adlanır.

Piezoresistiv əmsal və ya həssaslıq amili yarımkeçirici piezoresistiv təsirinin əsas fiziki parametrləridir. Stress və gərginlik arasındakı münasibətlər kimi münasibətlər arasındakı münasibət, bu, gəncin modu, yəni g = π y.

Yarımkeçirici kristalların anizotropiyası, gəncin modulus və piezoresistiv əmsal ilə kristal istiqaməti ilə dəyişir. Yarımkeçirici pezoresisti effektin miqyası da yarımkeçiricinin müqaviməti ilə sıx bağlıdır. Müqavimət, həssaslıq amili daha kiçikdir. Diffuziya müqavimətinin piezoresistiv effekti, diffuziya müqavimətinin kristal istiqaməti və murdar konsentrasiyası ilə müəyyən edilir. Çirklə konsentrasiyası əsasən diffuziya təbəqəsinin səth çirklərinin konsentrasiyasına aiddir.